特許
J-GLOBAL ID：200903089024177560

半導体装置及びその製造方法

発明者：
井上 裕章

井上 裕章 について

, 
中村 憲二

中村 憲二 について

, 
松本 守治

松本 守治 について


出願人/特許権者：
株式会社荏原製作所

株式会社荏原製作所 について


代理人 (1件)： 渡邉 勇 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-176176
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367998
出願日： 2001年06月11日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：
【要約】【課題】 埋め込み配線を表面のみを選択的に覆って、配線の酸化と熱拡散の双方を有効に防止することができるようにする。【解決手段】 埋め込み配線構造を有する半導体装置の露出配線の表面に、例えばNiまたはNi合金層からなる配線8の酸化を防止する酸化防止層9と、例えばCoまたはCo合金層からなる配線8の熱拡散を防止する熱拡散防止層10の多層積層膜からなる保護膜20を形成した。
請求項（抜粋）：
埋め込み配線構造を有する半導体装置の露出配線の表面に、多層積層膜からなる保護膜を選択的に形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3205 ,  C23C 18/16 ,  C23C 18/52 ,  H01L 21/288
FI (5件)：
C23C 18/16 B ,  C23C 18/52 B ,  H01L 21/288 Z ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 K
Fターム (45件)：
4K022AA02 ,  4K022AA05 ,  4K022BA04 ,  4K022BA06 ,  4K022BA14 ,  4K022BA16 ,  4K022BA24 ,  4K022BA31 ,  4K022BA32 ,  4K022BA36 ,  4K022DA01 ,  4K022DB17 ,  4K022DB19 ,  4M104BB04 ,  4M104BB32 ,  4M104DD16 ,  4M104DD22 ,  4M104DD37 ,  4M104DD53 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH05 ,  4M104HH20 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH14 ,  5F033HH15 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033MM02 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033XX20 ,  5F033XX28
引用特許：
審査官引用 (6件)
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