特許
J-GLOBAL ID：200903089026001516

半導体装置およびその製造方法

発明者：
佐藤 文紀

佐藤 文紀 について


出願人/特許権者：
日産自動車株式会社

日産自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 菊谷 公男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-029620
公開番号（公開出願番号）：特開2000-227374
出願日： 1999年02月08日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：
【要約】【課題】 多層配線構造を有する周辺回路とダイアフラム構造を有する赤外線センサが同一半導体基板内に形成された場合でも、良好な計測感度を得る。【解決手段】 まずシリコン基板50aの表面に欠陥層54Bを形成し、その上に熱電対6Bを形成する。1層目アルミ配線63B、64Bの形成と同時に、梁部2Bおよびエッチング液注入口72Bが形成される領域にアルミ層からなるダミーパターンを形成する。2層目層間絶縁膜67aを全面に成膜後、周辺回路へコンタクトホールを形成する際に、ダミーパターン上の2層目層間絶縁膜もエッチング除去する。次に2層目配線を形成する工程で、ダミーパターンを除去する。エッチング液注入口72Bを形成し異方性エッチング液を注入して、熱分離空間4Bを形成する。梁部2Bには、2層目層間絶縁膜が積層されることがなく、熱抵抗が高くなり、シリコン基板50aとダイアフラム3Bの熱分離が向上する。
請求項（抜粋）：
複数の層間絶縁膜層と、該層間絶縁膜層を挟んで積層される複数の配線層からなる多層配線構造を有する周辺回路およびダイアフラム構造を有するセンサ部が同一半導体基板内に形成される半導体装置において、前記センサ部は、他の領域に積層された層間絶縁膜層よりも少ない層の層間絶縁膜層が積層された所定領域を備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
G01L 9/04 101 ,  G01J 1/02 ,  H01L 29/84
FI (3件)：
G01L 9/04 101 ,  G01J 1/02 B ,  H01L 29/84 A
Fターム (30件)：
2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF11 ,  2F055FF43 ,  2F055GG01 ,  2F055GG12 ,  2F055GG15 ,  2F055HH19 ,  2G065AB02 ,  2G065BA02 ,  2G065BA11 ,  2G065BA14 ,  2G065BE08 ,  2G065DA20 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA02 ,  4M112CA12 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112DA11 ,  4M112DA12 ,  4M112EA02 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07
引用特許：
審査官引用 (5件)
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