特許
J-GLOBAL ID：200903089168483577
半導体装置およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-171098
公開番号（公開出願番号）：特開平11-004001
出願日： 1997年06月11日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：
【要約】【課題】 ボトムゲイト型のTFTにおいて、活性層を結晶性珪素膜で構成しようとする場合に問題となるアルミゲイト電極の耐熱性を改善する。【解決手段】 ガラス基板101上にチタン膜102とアルミニウム膜103とで積層されたゲイト電極の基となるパターンを形成する。この後にゲイト絶縁膜106、非晶質珪素膜107を成膜する。そして、ゲイト電極の基となるパターンに上部にマスクを配置し、その後にニッケル酢酸塩溶液を塗布する。こうしてニッケル元素が表面に接して保持された状態を得る。次に加熱処理を加えることにより、ニッケル元素が接して保持された領域からマスクされた領域へと結晶成長を進行させる。こうしてボトムゲイト型の構造において、活性層を結晶性珪素膜で構成したものとする。
請求項（抜粋）：
ゲイト電極と、前記ゲイト電極上を覆って形成されたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に形成された結晶性珪素膜でなる活性層と、を有し、前記活性層はソース及びドレイン領域からチャネル形成領域へと結晶成長した構造を有し、前記ソース及びドレイン領域には、前記チャネル形成領域よりも珪素の結晶化を助長する金属元素が高濃度に含まれていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
H01L 29/78 627 G
, H01L 21/20
, H01L 29/78 613 A
, H01L 29/78 616 J
, H01L 29/78 618 G
, H01L 29/78 618 B
