特許
J-GLOBAL ID：200903089197371850

BaLiF3単結晶体の製造方法

発明者：
真淵 俊朗

真淵 俊朗 について

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望月 直人

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縄田 輝彦

縄田 輝彦 について

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佐藤 浩樹

佐藤 浩樹 について

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福田 承生

福田 承生 について


出願人/特許権者：
株式会社トクヤマ

株式会社トクヤマ について


代理人 (3件)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  高畑 ちより
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-038862
公開番号（公開出願番号）：特開2008-230958
出願日： 2008年02月20日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：
【課題】半導体製造用の液浸式露光装置のラストレンズ等として有用であり、200nm以下の真空紫外光の透過性に優れたBaLiF3単結晶体の製造方法を提供する。【解決手段】BaLiF3単結晶体をLi過剰な溶融液を原料として融液成長法で製造する場合に、BaF2とLiFとMgF2とからなり、これらの含有比率がモル基準で、Ba/(Ba+Li+Mg)が0.35〜0.48の範囲であり、かつMg/(Li+Mg)が0.001〜0.03の範囲にある溶融液を調製し、この原料溶融液を用いて単結晶体を育成する。これによりLi成分の析出に起因する白濁が低下し、良好な光透過率がえられる。また、育成後のBaLiF3単結晶をアニール処理し歪除去をおこなえば、単結晶体中の白濁をさらに低減することができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
融液成長法によるBaLiF3単結晶体の製造方法において、原料溶融液として、Ba F2とLiFとMgF2とからなり、これらの含有比率がモル基準で、Ba/(Ba+Li+Mg)が0.35〜0.48の範囲にあり、かつMg/(Li+Mg)が0.001〜0.03の範囲にある原料溶融液を用いることを特徴とするBaLiF3単結晶体の製造 方法。
IPC (3件)：
C30B 29/12 ,  G02B 1/02 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
C30B29/12 ,  G02B1/02 ,  H01L21/30 515D
Fターム (12件)：
4G077AA02 ,  4G077BE02 ,  4G077CD01 ,  4G077CE10 ,  4G077EC07 ,  4G077EC08 ,  4G077HA01 ,  4G077HA02 ,  5F046BA04 ,  5F046BA05 ,  5F046CB12 ,  5F046CB25
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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