データ設定方法および装置、データ記憶装置、情報記憶媒体

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-149785
公開番号（公開出願番号）：特開2000-339977
出願日： 1999年05月28日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】電荷の蓄積によりデータを記憶するデータメモリ手段において、フローティングゲートからトンネル酸化膜のトラップサイトへの移動による電荷の減少を補償する。【解決手段】データ設定となるデータメモリ手段101への電荷注入が完了してから所定時間を積算し、この時間積算が完了してからデータメモリ手段101に蓄積電荷の減少を補償する電荷を一度だけ注入する。これでトンネル酸化膜のトラップサイトが電荷で充填された状態で、フローティングゲートの蓄積電荷の不足を補償する。

請求項（抜粋）：

複数のデータメモリ手段に選択的に電荷を蓄積させて二値データを読出自在に設定するデータ設定方法であって、前記データメモリ手段に二値データの一方のデータ設定として電荷を注入し、この電荷注入が完了すると少なくとも二値データが読出自在となる所定時間を積算し、この時間積算が完了すると全部の前記データメモリ手段に蓄積電荷の減少を補償する電荷を一様に注入するようにしたデータ設定方法。

Fターム (4件)：

5B025AA01 , 5B025AC01 , 5B025AD04 , 5B025AD15

引用特許：

審査官引用 (5件)

不揮発性記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-183075 出願人：ソニー株式会社
特開平4-082091
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-207767 出願人：株式会社東芝

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