炭化珪素半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-095693
公開番号（公開出願番号）：特開2009-252811
出願日： 2008年04月02日
公開日（公表日）： 2009年10月29日
要約：

【課題】炭化珪素半導体装置のpベースオーミックコンタクトは、高濃度イオン注入により形成されるp++層と金属電極とで構成される。高濃度イオン注入を室温で行うと、p++層の結晶が著しく劣化しプロセス不良の原因となるため、高温中で注入を行う方法が用いられる。デバイスのスイッチング損失等の観点から、pベースオーミックコンタクト抵抗率はより低いことが望ましい。公知技術では、イオン注入温度と、オーミックコンタクト抵抗率及びプロセス不良に関する、詳細な関係については言及されていない。【解決手段】上記イオン注入工程に於いて、炭化珪素ウェハの温度を175〜300°C、望ましくは175〜200°Cに保持しておく。175〜300°Cでのイオン注入により形成されるp++領域を用いたpベースオーミックコンタクト抵抗率は、300°Cを超える温度でイオン注入した場合よりも低くなる。又、プロセス不良も発生しない。【選択図】図44

請求項（抜粋）：

炭化珪素層を備える炭化珪素半導体装置の製造方法であって、前記炭化珪素層の温度を175°C以上に保持しつつ、前記炭化珪素層の主面から前記炭化珪素層の内部に向けて、その注入濃度が1E19cm-3以上、1E21cm-3以内の範囲内にある、Alイオン、Bイオン及びGaイオンの内の何れかのイオンを注入して、p型の不純物層を形成する工程と、その裏面が前記p型の不純物層の表面とオーミックコンタクトする、コンタクト電極を前記p型の不純物層の前記表面上に形成する工程とを備えることを特徴とする、炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/28 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/265 , H01L 21/20

FI (7件)：

H01L21/28 301B , H01L29/78 658A , H01L29/78 652T , H01L29/78 652D , H01L21/265 Z , H01L21/265 602A , H01L21/20

Fターム (20件)：

4M104AA03 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB34 , 4M104CC01 , 4M104DD26 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH15 , 5F152LL03 , 5F152MM04 , 5F152NN05 , 5F152NQ02

引用特許：

出願人引用 (2件)

炭化珪素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-247401 出願人：三菱電機株式会社
半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-047126 出願人：株式会社イオン工学研究所

審査官引用 (5件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-271353 出願人：松下電器産業株式会社
炭化珪素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-247401 出願人：三菱電機株式会社
半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-047126 出願人：株式会社イオン工学研究所

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