特許
J-GLOBAL ID：200903093453705351

半導体装置の製造方法

発明者：
金子 佐一郎

金子 佐一郎 について


出願人/特許権者：
日産自動車株式会社

日産自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-286864
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100657
出願日： 2001年09月20日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：
【要約】【課題】 炭化珪素表面のカーボンコンタミを除去して低コンタクト抵抗のオーミック電極や良質な絶縁膜/半導体層の界面が形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 n型SiCエピタキシャル層20上に、フィールド絶縁膜70を形成し、エピタキシャル層の表面の一部が露出するようにする。RTA装置で、1000°C、1分間の熱処理を真空中で行い、n型エピタキシャル層20の露出された表面を清浄化し、ゲート酸化膜50、ゲート電極60を形成する。n+型SiC基板10の裏面に、1000°C、1分間の熱処理を真空中で行って、n+型SiC基板10の露出された裏面表面を清浄化した後、ドレイン電極100を形成する。層間膜80にコンタクトホールを形成し、RTA装置を用いて、1000°C、1分間の熱処理を真空中で行い、n+型ソース領域40の露出された表面を清浄化し、コンタクトホール内にソース電極90を形成する。
請求項（抜粋）：
炭化珪素基板の表面に電極金属層が形成された半導体装置の製造方法であって、前記炭化珪素基板の前記電極金属層を形成する部分に当たる表面を露出させた後、該炭化珪素基板表面の露出領域に対して熱処理を行う工程と、前記熱処理を行った後、前記露出領域に前記電極金属層を形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 652
FI (3件)：
H01L 21/28 301 F ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 658 F
Fターム (10件)：
4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD23 ,  4M104DD26 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH15
引用特許：
審査官引用 (4件)
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