特許
J-GLOBAL ID：200903064600440482
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
吉田 茂明
, 吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-247401
公開番号（公開出願番号）：特開2007-066959
出願日： 2005年08月29日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：
【課題】不純物の炭化珪素層内での凝集等の問題なく、活性化アニール等でのベースコンタクト部のエッチングを抑制し、ソース・ベース共通電極とベースコンタクト部とが、抵抗率の低いオーミックコンタクトとなる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板温度を400°C以上800°C以下に保持しつつ、不純物濃度が2e20cm-3以上のAlイオンをイオン注入することで、ベースコンタクト部15を形成する。基板温度を400°C以上800°C以下にしてイオン注入を行うことで、イオン注入時の炭化珪素層の結晶性悪化が抑制され、不純物の炭化珪素層内での凝集等の問題なく、活性化アニール等でのベースコンタクト部15のエッチングが抑制される。【選択図】図13
請求項（抜粋）：
炭化珪素下地層と、
前記炭化珪素下地層の表層部に形成されたp型領域と、
前記p型領域の表層部に形成されたコンタクト部と、
を備える炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記炭化珪素下地層を400°C以上800°C以下に保持しつつ、前記p型領域にAl、B、若しくはGaの何れかを含むイオンを注入することにより前記コンタクト部を形成する工程を備えることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/12
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L29/78 652T
, H01L29/78 652C
, H01L29/78 658G
, H01L29/78 658E
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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