特許
J-GLOBAL ID：200903089398688453

半導体結晶の欠陥評価方法及び評価装置

発明者：
田島 道夫

田島 道夫 について


出願人/特許権者：
独立行政法人 宇宙航空研究開発機構

独立行政法人 宇宙航空研究開発機構 について


代理人 (4件)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  須田 洋之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-219745
公開番号（公開出願番号）：特開2009-054771
出願日： 2007年08月27日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：
【課題】ワイドギャップ半導体で構成される半導体試料の結晶構造欠陥の二次元的な分布を高速で非破壊的に高精度で評価する方法を提供する。【解決手段】半導体試料に光を照射して、半導体試料によりフォトルミネッセンス光を放出させる工程、及び、放出されたフォトルミネッセンス光を観察して、半導体試料の結晶構造欠陥の二次元的な分布を得る工程を含み、半導体試料を構成する半導体が、ワイドギャップ半導体であり、半導体試料に照射する光が、ワイドギャップ半導体のバンドギャップに対応するエネルギーよりも小さいエネルギーを有する、半導体試料の結晶構造欠陥の二次元的な分布を評価する方法。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体試料の結晶構造欠陥の二次元的な分布を評価する方法であって、 前記半導体試料に光を照射して、該半導体試料によりフォトルミネッセンス光を放出させる工程、及び、 放出されたフォトルミネッセンス光を観察して、前記半導体試料の結晶構造欠陥の二次元的な分布を得る工程、 を含み、 前記半導体試料を構成する半導体が、ワイドギャップ半導体であり、 前記半導体試料に照射する光が、前記ワイドギャップ半導体のバンドギャップに対応するエネルギーよりも小さいエネルギーを有する、 ことを特徴とする、前記評価方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66 ,  G01N 21/64 ,  G01N 21/00
FI (3件)：
H01L21/66 N ,  G01N21/64 Z ,  G01N21/00 B
Fターム (24件)：
2G043AA03 ,  2G043CA05 ,  2G043EA01 ,  2G043FA01 ,  2G043GA02 ,  2G043GB28 ,  2G043KA02 ,  2G043KA05 ,  2G043KA09 ,  2G043LA03 ,  2G043MA01 ,  2G059AA03 ,  2G059BB16 ,  2G059EE07 ,  2G059FF01 ,  2G059GG01 ,  2G059HH02 ,  2G059HH06 ,  2G059JJ02 ,  2G059KK04 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CA18 ,  4M106CB19
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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