特許
J-GLOBAL ID：200903089406383314

界面の不純物濃度分析方法

発明者：
川島 義也

川島 義也 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-003503
公開番号（公開出願番号）：特開2000-206063
出願日： 1999年01月08日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】 二次イオン質量分析法による異種材料の界面の不純物濃度分析方法において、一次イオンの偏析による二次イオン化確率の増大を抑制し、界面における不純物濃度を精度良く分析する界面の不純物濃度分析方法を提供する事を目的とする。【解決手段】 導電性材料と絶縁性材料とが積層された試料の前記導電性材料と前記絶縁性材料との界面における不純物濃度を、アルカリ金属一次イオンを用いた二次イオン質量分析法により分析する界面の不純物濃度分析方法において、前記アルカリ金属一次イオンの前記試料への入射角度を該試料表面の法線から40度以内に設定することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
導電性材料と絶縁性材料とが積層された試料の前記導電性材料と前記絶縁性材料との界面における不純物濃度を、アルカリ金属一次イオンを用いた二次イオン質量分析法により分析する界面の不純物濃度分析方法において、前記アルカリ金属一次イオンの前記試料への入射角度を該試料表面の法線から40度以内に設定することを特徴とする界面の不純物濃度分析方法。
IPC (2件)：
G01N 23/225 ,  H01L 21/66
FI (2件)：
G01N 23/225 ,  H01L 21/66 N
Fターム (14件)：
2G001AA05 ,  2G001BA06 ,  2G001CA05 ,  2G001GA13 ,  2G001KA01 ,  2G001KA20 ,  2G001LA11 ,  2G001NA17 ,  2G001PA07 ,  4M106AA13 ,  4M106CB01 ,  4M106DH11 ,  4M106DH45 ,  4M106DH60
引用特許：
審査官引用 (6件)
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