特許

J-GLOBAL ID：200903089442488696

使用済み半導体ウエハ又は基板の再生方法

発明者： 湯之上 隆 ,  湖上 峯市
出願人/特許権者： K square micro solution 株式会社
代理人 (1件)： 永井 義久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-322809
公開番号（公開出願番号）：特開2009-147104
出願日： 2007年12月14日
公開日（公表日）： 2009年07月02日
要約：

【課題】使用済みの半導体ウエハを、より少ない損失量で使用済み半導体ウエハや基板を再生する技術を提供すること。【解決手段】(a)表面に機能層を有する使用済みの半導体ウエハ1を粗削りし、機能層を除去する工程と、(b)粗削りした半導体ウエハ1の表面に、ドライエッチングにより除去可能な保護層2を形成する工程と、(c)保護層2を形成した半導体ウエハ1をドライエッチングし、保護層2と、ウエハ1表面のうち保護層2により被覆されずに露出する部分とを除去する工程と、(d)ドライエッチングした半導体ウエハ1の平坦度を計測する工程と、を含み、(d)工程において所望の平坦度が得られない場合、所望の平坦度が得られるまで(b)から(d)までの工程を繰り返す。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

(a)表面に機能層を有する使用済みの半導体ウエハ又は基板を粗削りし、前記機能層を除去する工程と、 (b)粗削りした半導体ウエハ又は基板の表面に、ドライエッチングにより除去可能な保護層を形成する工程と、 (c)前記保護層を形成した粗削りした表面を有する半導体ウエハ又は基板を、前記保護層とともにドライエッチングする工程と、 (d)ドライエッチングした半導体ウエハ又は基板における前記粗削りを行った表面の平坦度を計測する工程と、を含み、 前記(d)工程において所望の平坦度が得られない場合、前記(b)から(d)までの工程を繰り返す、 ことを特徴とする使用済み半導体ウエハ又は基板の再生方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L21/02 B ,  H01L21/66 J ,  H01L21/66 Z ,  H01L21/302 105B

Fターム (13件)：

4M106AA01 ,  4M106BA11 ,  4M106BA12 ,  4M106CA38 ,  4M106DH55 ,  4M106DH57 ,  4M106DJ38 ,  5F004AA11 ,  5F004DB01 ,  5F004DB26 ,  5F004EA22 ,  5F004EA26 ,  5F004EA27

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 再生ウェーハから半導体ウェーハへの変換法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-115464   出願人：ワッカージルトロニックゲゼルシャフトフュアハルプライターマテリアーリエンアクチエンゲゼルシャフト
• 基板を再生する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-407956   出願人：エスオーアイテックシリコンオンインシュレータテクノロジーズ

審査官引用 (3件)

• シリコンウエハーの処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-045202   出願人：濱田重工株式会社
• 半導体ウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-221446   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社
• 基板の再生方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-158692   出願人：シャープ株式会社