特許
J-GLOBAL ID：200903089593699990
集積型ハイブリッド薄膜太陽電池の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-122346
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308362
出願日： 2000年04月24日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：
【要約】【課題】 集積型ハイブリッド薄膜太陽電池の高い光電変換効率を維持しつつ、その集積化を容易にするとともに生産歩留まりを改善する。【解決手段】 透明絶縁基板101上で順に積層された透明電極層102、非晶質半導体光電変換ユニット層110、結晶質半導体光電変換ユニット層120、および裏面電極層130が複数のハイブリッド光電変換セルを形成するように複数の分離溝105,107によって分離されていて、かつそれらの複数のセルが接続用溝106を介して互いに電気的に直列接続された集積型ハイブリッド薄膜太陽電池の製造方法において、結晶質光電変換ユニット層120は1〜1.5μmの範囲内の厚さに堆積され、裏面電極層130はレーザスクライブによって複数のセルに対応した複数の裏面電極に分離され、レーザスクライブによる残滓を除去するための洗浄が行なわれることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
透明絶縁基板上に順に積層された透明電極層、非晶質半導体光電変換ユニット層、結晶質半導体光電変換ユニット層、および裏面電極層が複数のハイブリッド光電変換セルを形成するように複数の分離溝によって分離されていて、かつそれらの複数のセルが接続用溝を介して互いに電気的に直列接続された集積型ハイブリッド薄膜太陽電池の製造方法であって、前記結晶質光電変換ユニット層は1〜1.5μmの範囲内の厚さに堆積され、前記裏面電極層はレーザスクライブによって前記複数のセルに対応した複数の裏面電極に分離され、前記レーザスクライブによる残滓を除去するための洗浄が行なわれることを特徴とする集積型ハイブリッド薄膜太陽電池の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 31/04 C
, H01L 31/04 Y
, H01L 31/04 W
5F051AA03
, 5F051AA04
, 5F051AA05
, 5F051CB12
, 5F051DA04
, 5F051DA17
, 5F051EA02
, 5F051EA16
, 5F051GA03
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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