特許
J-GLOBAL ID：200903089608614423
高誘電率膜の堆積のための界面層を制御するための方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山本 秀策
, 安村 高明
, 大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-256355
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109450
出願日： 2004年09月02日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
【課題】 水素パッシベーションした基板上に高誘電率膜を形成する方法を提供すること。【解決手段】 水素パッシベーションした表面上に界面層を形成する方法が提供される。これらの方法は、界面層の形成の間、硝酸金属ベースプリカーサ(例えば、硝酸ハフニウムまたは硝酸ジルコニウム)を水酸化剤または酸化剤(例えば、水)を導入することなく組み込む原子層堆積技術を利用する。また、最初に、水素パッシベート基板の表面上に界面層を形成し、その後、1つ以上のhigh-k誘電体膜を堆積することによって、high-k膜を形成する方法が提供される。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
基板上にhigh-k誘電体膜を形成する方法であって、
a)原子層堆積チャンバ内で、半導体基板上に、水素パッシベーションした表面を提供するステップと、
b)該基板を摂氏200度未満まで加熱することによって界面層を形成し、該界面層の形成の間、水酸化ガスまたはさらなる酸化ガスを導入することなく、無水硝酸ハフニウムを該チャンバに導入するステップと、
c)該界面層上にあるhigh-k膜を形成するステップと
を包含する、方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/316 C
, H01L29/78 301G
5F058BC03
, 5F058BE10
, 5F058BF04
, 5F058BF06
, 5F058BF37
, 5F058BJ01
, 5F140AA00
, 5F140BA01
, 5F140BD01
, 5F140BD11
, 5F140BD12
, 5F140BD13
, 5F140BD20
, 5F140BE01
, 5F140BE09
