ナノラミネート膜の原子層堆積

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山本秀策 , 安村高明 , 大塩竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-042166
公開番号（公開出願番号）：特開2004-260168
出願日： 2004年02月18日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：

【課題】酸化剤工程をなくすことによって堆積方法を大幅に簡略化し、さらに、ナノラミネート膜の質を向上させること。【解決手段】酸化物ナノラミネート薄膜を堆積する原子層堆積法が提供される。この方法は、第1のプリカーサのニトレート配位子を、第2のプリカーサのための酸化剤として用いて、酸化物ナノラミネートを形成する。窒化ハフニウムプリカーサおよびアルミニウムプリカーサを用いることによって、この方法は、水素終端処理されたシリコン表面上に、ゲート誘電体またはキャパシタ誘電体に用いるHigh-k酸化ハフニウム/酸化アルミニウムナノラミネート誘電体を堆積することによく適している。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

酸化物ナノラミネート膜を形成する原子層堆積プロセスにおいて、第1の窒化金属含有プリカーサを第2の金属含有プリカーサのための酸化剤として用いる方法であって、 a.第1の窒化金属含有プリカーサを導入する工程と、 b.該第1の窒化金属含有プリカーサをパージする工程と、 c.第2の金属含有プリカーサを導入する工程と、 d.該第2の金属含有プリカーサをパージする工程とを包含する、方法。

IPC (4件)：

H01L21/316 , C23C16/40 , H01L21/8242 , H01L27/108

FI (4件)：

H01L21/316 X , H01L21/316 P , C23C16/40 , H01L27/10 651

Fターム (35件)：

4K030AA03 , 4K030AA14 , 4K030BA02 , 4K030BA10 , 4K030BA43 , 4K030BA56 , 4K030BA57 , 4K030BA58 , 4K030BA59 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA09 , 4K030FA10 , 4K030JA10 , 4K030JA11 , 4K030LA15 , 5F058BA01 , 5F058BA11 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BF20 , 5F058BF22 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BH01 , 5F058BJ01 , 5F083AD21 , 5F083AD60 , 5F083GA27 , 5F083JA02 , 5F083JA06 , 5F083JA38 , 5F083PR21

引用特許：

出願人引用 (3件)

米国特許第6,060,755号明細書
米国特許第6,203,613号明細書
米国特許第6,420,279号明細書

審査官引用 (6件)

揮発性原料を用いたMIS型トランジスタ素子およびそれを備えた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-275532 出願人：株式会社日立製作所, 三菱電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-395734 出願人：松下電器産業株式会社
基板処理装置および処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-244730 出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社ケミトロニクス

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