特許
J-GLOBAL ID:200903089663060526 レジストパタ-ン形成方法
発明者:
,
出願人/特許権者: 公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-372545
公開番号(公開出願番号):特開2000-194141
出願日: 1998年12月28日
公開日(公表日): 2000年07月14日
要約:
【要約】【課題】 レジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】上層被膜及び下層被膜を形成する組成の異なる感エネルギー線レジスト用被膜を積層し、上層被膜の表面から所望のパターンが得られるように活性エネルギー線や熱線を1段目として照射させたのち、上層被膜を現像処理して不要部分の被膜を除去し、次いで残存した上層被膜及び露出した下層被膜の表面から活性エネルギー線や熱線を2段目として照射させたのち、下層被膜を現像処理してレジストパターンを形成する方法であって、下層被膜は1段目の照射では、活性エネルギー線や熱線により感じないが2段目の活性エネルギー線や熱線の照射では感じることにより現像処理が可能となる上層被膜と下層被膜の構成要素が異なってなる積層被膜であることを特徴とするレジストパターン形成方法。
請求項(抜粋):
上層被膜及び下層被膜を形成する組成の異なる感エネルギー線レジスト用被膜を積層し、上層被膜の表面から所望のパターンが得られるように活性エネルギー線や熱線を1段目として照射させたのち、上層被膜を現像処理して不要部分の被膜を除去し、次いで残存した上層被膜及び露出した下層被膜の表面から活性エネルギー線や熱線を2段目として照射させたのち、下層被膜を現像処理してレジストパターンを形成する方法であって、下層被膜は1段目の照射では、活性エネルギー線や熱線により感じないが2段目の活性エネルギー線や熱線の照射では感じることにより現像処理が可能となる上層被膜と下層被膜の構成要素が異なってなる積層被膜であることを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (7件):
G03F 7/26 511
, G03F 7/095
, G03F 7/30
, G03F 7/40
, H01L 21/027
, H01L 21/3065
, H05K 3/06
FI (8件):
G03F 7/26 511
, G03F 7/095
, G03F 7/30
, G03F 7/40
, H05K 3/06 E
, H01L 21/30 502 R
, H01L 21/30 573
, H01L 21/302 J
Fターム (58件):
2H025AB13
, 2H025AB15
, 2H025AB17
, 2H025AC01
, 2H025AC08
, 2H025AD01
, 2H025AD03
, 2H025BC42
, 2H025BE00
, 2H025CB13
, 2H025CB14
, 2H025DA13
, 2H025FA06
, 2H025FA17
, 2H025FA28
, 2H096AA26
, 2H096AA30
, 2H096BA05
, 2H096BA06
, 2H096BA10
, 2H096BA20
, 2H096EA02
, 2H096EA04
, 2H096EA14
, 2H096GA08
, 2H096HA03
, 2H096HA30
, 2H096JA04
, 2H096KA02
, 2H096KA03
, 2H096KA05
, 2H096KA06
, 2H096KA15
, 2H096LA02
, 5E339CC01
, 5E339CD01
, 5E339CE11
, 5E339CE14
, 5E339CF02
, 5E339CF16
, 5E339CF17
, 5E339DD02
, 5E339DD04
, 5E339DD05
, 5F004BB02
, 5F004EA02
, 5F004EA26
, 5F046AA11
, 5F046AA28
, 5F046CA01
, 5F046CA02
, 5F046CA03
, 5F046CA07
, 5F046JA04
, 5F046JA19
, 5F046LA12
, 5F046NA04
, 5F046NA05
引用特許: 審査官引用 (11件) -
特開昭63-037341
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特開昭62-269954
-
特開昭63-316438
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