特許

J-GLOBAL ID：200903055959132636

半導体レーザ素子およびその製造方法

発明者： 竹見 政義 ,  小野 健一 ,  花巻 吉彦 ,  綿谷 力 ,  八木 哲哉 ,  西口 晴美 ,  佐々木 素子 ,  阿部 真司 ,  吉田 保明
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (3件)： 河宮 治 ,  石野 正弘 ,  稲葉 和久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-276127
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207682
出願日： 2003年07月17日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

【課題】 高濃度にドーピングしたp型GaAs層のp型ドーパントが活性層へ拡散することを防止しまたは抑制して、高キャリア濃度のコンタクト層を得る。その結果、素子抵抗を低減した、高出力・高効率の半導体レーザ素子を得る。【解決手段】 半導体レーザ素子は、活性層3と、p型クラッド層2と、p型キャップ層1とが順に積層されている。p型キャップ層1bは、p型ドーパントおよびn型ドーパントの両方を含む。またはp型キャップ層は、第1のp型ドーパントで形成された、活性層から遠い第1の層1a、および、第1のp型ドーパントよりも拡散係数の小さい第2のp型ドーパントで形成された、活性層に近い第2の層1bを備えている。またはp型キャップ層1eは、p型ドーパントとして炭素(C)が添加されている。これらの構成によれば、p型ドーパントが活性層およびp型クラッド層側に拡散するのを防止できる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

活性層と、p型クラッド層と、p型キャップ層とが順に積層されている半導体レーザ素子であって、 前記p型キャップ層は、p型ドーパントおよびn型ドーパントの両方を含む半導体レーザ素子。

IPC (3件)：

H01S5/323 ,  H01L21/205 ,  H01L21/22

FI (3件)：

H01S5/323 ,  H01L21/205 ,  H01L21/22 C

Fターム (13件)：

5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AD09 ,  5F045AF05 ,  5F045CA12 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073BA05 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02 ,  5F073CB10 ,  5F073CB16 ,  5F073EA28

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-204076   出願人：シャープ株式会社
• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-203058   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-055711   出願人：京セラ株式会社

審査官引用 (7件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-227835   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-128347   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-113666   出願人：株式会社東芝
• 半導体レーザ素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-058086   出願人：富士電機株式会社
• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-291337   出願人：シャープ株式会社
• 炭素でド-ピングした接触層を含む光学装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-165298   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
• 半導体発光装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-137134   出願人：ローム株式会社