特許
J-GLOBAL ID：200903089768128096

導電性高分子上への金属粒子の光析出方法

発明者：
桑畑 進

桑畑 進 について


出願人/特許権者：
独立行政法人 科学技術振興機構

独立行政法人 科学技術振興機構 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-298066
公開番号（公開出願番号）：特開2004-131806
出願日： 2002年10月10日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：
【課題】析出した金属粒子の全てを触媒として利用できる方法を提供する。【解決手段】金属イオンと正孔捕捉剤とを含む電解液中で、導電性高分子上へ金属粒子を析出する方法であって、導電性高分子に光照射することで、価電子帯の電子を伝導帯に励起し価電子帯に正孔を形成する正孔形成工程と、励起された電子によって、上記金属イオンを還元する還元工程とを含む導電性高分子への金属粒子の光析出方法とする。そしてこの方法によって金属粒子が析出された導電性高分子を、触媒として利用する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
金属イオンと正孔捕捉剤とを含む電解液中で、導電性高分子上へ金属粒子を析出する方法であって、 導電性高分子に光照射することで、価電子帯の電子を伝導帯に励起し価電子帯に正孔を形成する正孔形成工程と、 励起された電子によって、上記金属イオンを還元する還元工程とを含むことを特徴とする導電性高分子上への金属粒子の光析出方法。
IPC (3件)：
C23C18/14 ,  B01J31/28 ,  C23C18/42
FI (3件)：
C23C18/14 ,  B01J31/28 Z ,  C23C18/42
Fターム (23件)：
4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069BA22A ,  4G069BA22B ,  4G069BC75A ,  4G069BC75B ,  4G069CC32 ,  4G069FA02 ,  4G069FB14 ,  4G069FB18 ,  4G069FB20 ,  4K022AA13 ,  4K022AA25 ,  4K022AA43 ,  4K022BA18 ,  4K022CA12 ,  4K022DA01 ,  4K022DA08 ,  5H018AA01 ,  5H018BB17 ,  5H018DD08 ,  5H018EE03 ,  5H018EE17
引用特許：
審査官引用 (6件)
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