メモリ膜およびその製造方法、並びにメモリ素子、半導体記憶装置、半導体集積回路および携帯電子機器

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者： , , ,
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-046260
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252290
出願日： 2001年02月22日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】【課題】低電圧で動作可能なメモリ膜およびその製造方法を提供することにある。【解決手段】第1の電極となる半導体基板111上に第1の絶縁膜112を形成する。第1の絶縁膜112上に第1の導電体膜113を形成する。第1の導電体膜113の表面に第2の絶縁膜112Bを形成する。第2の絶縁膜112B上に導電体の微粒子114,115を含む第3の絶縁膜を形成する。第3の絶縁膜上に第2の電極となる第2の導電体膜を形成する。

請求項（抜粋）：

第1の電極となる半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、上記第1の絶縁膜上に第1の導電体膜を形成する工程と、上記第1の導電体膜の表面に第2の絶縁膜を形成する工程と、上記第2の絶縁膜上に導電体の微粒子を含む第3の絶縁膜を形成する工程と、上記第3の絶縁膜上に第2の電極となる第2の導電体膜を形成する工程とを含むことを特徴とするメモリ膜の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , C23C 16/24 , H01L 21/205 , H01L 21/316 , H01L 27/115 , H01L 27/10 461

FI (6件)：

C23C 16/24 , H01L 21/205 , H01L 21/316 S , H01L 27/10 461 , H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Fターム (44件)：

4K030AA06 , 4K030BA29 , 4K030BB03 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030DA09 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030LA15 , 5F045AB02 , 5F045AB03 , 5F045AB32 , 5F045AD10 , 5F045BB08 , 5F045BB16 , 5F045HA01 , 5F058BD02 , 5F058BD03 , 5F058BD04 , 5F058BF61 , 5F083EP17 , 5F083EP22 , 5F083EP33 , 5F083EP34 , 5F083EP79 , 5F083GA05 , 5F083GA09 , 5F083GA28 , 5F083HA02 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083NA01 , 5F083NA08 , 5F083PR21 , 5F083ZA12 , 5F101BA54 , 5F101BB02 , 5F101BD02 , 5F101BD34 , 5F101BE07 , 5F101BH12

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体ナノ結晶の製造方法およびその半導体ナノ結晶を用いた半導体記憶素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-266986 出願人：シャープ株式会社
特開平1-115165
クーロン閉塞が可能な多重メモリ装置、該装置の製造方法及び該装置における読出/書込/消去方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-525933 出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク

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審査官引用 (4件)

半導体ナノ結晶の製造方法およびその半導体ナノ結晶を用いた半導体記憶素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-266986 出願人：シャープ株式会社
特開平1-115165
クーロン閉塞が可能な多重メモリ装置、該装置の製造方法及び該装置における読出/書込/消去方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-525933 出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク

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