特許
J-GLOBAL ID：200903090117867247

金属層の導電率測定方法

発明者：
中山 明

中山 明 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-366869
公開番号（公開出願番号）：特開2001-183311
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：
【要約】【課題】金属層界面の導電率測定において、試料の反りの発生を抑制し、同時に誘電体基板の内部に金属層が形成された試料における金属層の誘電体基板との界面や金属層の表面における導電率の測定方法を提供する。【解決手段】比誘電率および誘電正接が既知の誘電体円柱6の両端面を前記被測定物の誘電体基板5が誘電体円柱6と対向するように挟持するか、あるいは誘電体円柱6の一方の端面を被測定物の誘電体基板5と対向させ、他方の端面を導電率が既知の導体板7と対向させて挟持してなる誘電体共振器Aを形成し、誘電体共振器Aにより生成されたTEomnモード(m=1,2,3・・、n=1,2,3,・・・)の共振波形から共振周波数f0および無負荷Q,Quを測定し、共振周波数f0および無負荷Q,Quに基づき、被測定物における金属層4と誘電体基板5との界面の高周波導電率を算出する。
請求項（抜粋）：
内部に金属層が被着形成された誘電体基板からなる被測定物における前記金属層と前記誘電体基板との界面の導電率を測定する方法であって、比誘電率及び誘電正接が既知の誘電体円柱の両端面を前記被測定物の誘電体基板が前記誘電体円柱と対向するように挟持するか、あるいは前記誘電体円柱の一方の端面を前記被測定物の誘電体基板と対向させ、他方の端面を導電率が既知の導体板と対向させて挟持してなる誘電体共振器を形成し、該誘電体共振器により生成されたTEomnモード(m=1,2,3・・・、n=1,2,3,・・・)の共振波形から共振周波数f0および無負荷Q,Quを測定し、前記共振周波数f0および無負荷Q,Quに基づき、被測定物における前記金属層と前記誘電体基板との界面の高周波導電率を算出することを特徴とする金属層の導電率測定方法。
FI (2件)：
G01N 22/00 V ,  G01N 22/00 T
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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