特許
J-GLOBAL ID：200903090127553275

ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体並びにそれを用いた配線基板と、その実装構造

発明者：
川井 信也

川井 信也 について

, 
東 登志文

東 登志文 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-311828
公開番号（公開出願番号）：特開2004-143010
出願日： 2002年10月25日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】1050°C以下で焼成可能で、低抵抗金属を含有する配線層を同時焼成にて形成することができ、実装信頼性の高い配線基板を提供する。【解決手段】絶縁基板と配線層とを具備する配線基板において、該絶縁基板として少なくとも、SiO2 30〜55質量%、Al2O3 15〜40質量%、MgO 3〜25質量%、ZnO 2〜15質量%、B2O3 2〜15質量%を含有するガラス粉末60〜99質量%と、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも1種のフィラー粉末1〜40質量%とを混合、成形し、大気中あるいは窒素雰囲気中で1050°C以下の温度にて焼成して得られるガラスセラミック焼結体を用いる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも、SiO2 30〜55質量%、Al2O3 15〜40質量%、MgO 3〜25質量%、ZnO 2〜15質量%、B2O3 2〜15質量%を含有するガラス粉末60〜99質量%と、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも1種のフィラー粉末1〜40質量%とを含有することを特徴とするガラスセラミック組成物。
IPC (4件)：
C04B35/195 ,  H01L23/15 ,  H05K1/03 ,  H05K3/46
FI (4件)：
C04B35/16 A ,  H05K1/03 610D ,  H05K3/46 T ,  H01L23/14 C
Fターム (31件)：
4G030AA07 ,  4G030AA32 ,  4G030AA35 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030BA09 ,  4G030BA12 ,  4G030BA20 ,  4G030BA24 ,  4G030CA01 ,  4G030CA08 ,  4G030GA24 ,  4G030GA27 ,  4G030HA04 ,  4G030HA25 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346BB01 ,  5E346CC18 ,  5E346CC32 ,  5E346DD02 ,  5E346DD34 ,  5E346EE24 ,  5E346EE29 ,  5E346FF18 ,  5E346GG02 ,  5E346GG06 ,  5E346GG08 ,  5E346GG09 ,  5E346HH11 ,  5E346HH21
引用特許：
審査官引用 (5件)
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