特許
J-GLOBAL ID：200903090161351347
半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
井上 一
, 布施 行夫
, 大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-187453
公開番号（公開出願番号）：特開2005-026299
出願日： 2003年06月30日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：
【課題】信頼性の高い半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。【解決手段】半導体装置は、電気的に接続された電極14を有する半導体基板10と、半導体基板10の電極14が形成された面に、電極14を避けて形成された第1の樹脂層20と、電極14に電気的に接続され、第1の樹脂層20上に設けられたランド32を有する配線30と、第1の樹脂層20及び配線30上に形成されてなり、それぞれのランド32の少なくとも一部を露出させる開口42と開口42の周囲に形成された穴44とを有する第2の樹脂層40と、ランド32に設けられた外部端子50とを有する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
集積回路が形成されてなり、内部と電気的に接続された電極を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面に、前記電極を避けて形成された第1の樹脂層と、
前記電極に電気的に接続され、前記第1の樹脂層上に設けられたランドを有する配線と、
前記第1の樹脂層及び前記配線上に形成されてなり、それぞれの前記ランドの少なくとも一部を露出させる開口と前記開口の周囲に形成された穴とを有する第2の樹脂層と、
前記ランドに設けられた外部端子と、
を含む半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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