特許
J-GLOBAL ID：200903090164068719
レーザアニーリング装置及び方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-149226
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340160
出願日： 1998年05月29日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 大面積の処理基板であっても往復動作を繰り返すことなく、短時間で処理できるレーザアニーリング装置を提供すること。【解決手段】 処理基板1に照射すべきレーザ光を発生するための2つレーザ装置2A、2Bと、それぞれのレーザ装置からのレーザ光を、処理基板上においてその幅方向のサイズの1/2以上の長さを持つ断面のビームになるように変換する2つのホモジナイザ3A、3Bと、処理基板をその幅方向と異なる方向に移動させる移動機構とを備える。2つのホモジナイザにより形成される2つのビームが処理基板上においてその幅方向に一列になるように照射し、かつ処理基板をその幅方向と異なる方向に移動させて処理基板の全面にわたるアニーリングを行う。
請求項（抜粋）：
処理基板に照射すべきレーザ光を発生するためのn(ただし、nは2以上の整数)個のレーザ装置と、それぞれのレーザ装置からのレーザ光を、前記処理基板上においてその幅方向のサイズの1/n以上の長さを持つ断面のビームになるように変換するn個のホモジナイザと、該n個のホモジナイザを前記処理基板の幅方向と異なる方向に移動させる移動機構とを備え、前記n個のホモジナイザにより形成されるn個のビームが前記処理基板上においてその幅方向に一列になるように照射し、かつ前記n個のホモジナイザを移動させて前記処理基板の全面にわたるアニーリングを行うことを特徴とするレーザアニーリング装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/268 J
, H01L 21/20
