特許
J-GLOBAL ID：200903090174076701

スパッタリングによる成膜方法、及び該成膜方法を用いる光起電力素子の製造方法

発明者：
中山 明哉

中山 明哉 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-164654
公開番号（公開出願番号）：特開2001-342555
出願日： 2000年06月01日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：
【要約】【課題】長時間にわたるスパッタ成膜においても安定で良好な成膜が可能となり、所望の反射率を有する反射膜を安定して成膜することができ、加工性及び耐久性に優れ、安定して高い光電変換効率を達成することが可能なスパッタリングによる成膜方法、及び該成膜方法を用いる光起電力素子の製造方法を提供する。【解決手段】成膜室内にスパッタリングガスを導入して基板上に膜を成膜するスパッタリングによる成膜方法において、前記成膜室内における雰囲気中のH2O分圧を所定の条件に調整することによって、所定の反射率を有する反射層を前記基板上に成膜する。
請求項（抜粋）：
成膜室内にスパッタリングガスを導入して基板上に膜を成膜するスパッタリングによる成膜方法において、前記成膜室内における雰囲気中のH2O分圧を所定の条件に調整することによって、所定の反射率を有する反射層を前記基板上に成膜することを特徴とするスパッタリングによる成膜方法。
IPC (6件)：
C23C 14/06 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/34 ,  H01L 31/04 ,  H01B 13/00 503
FI (11件)：
C23C 14/06 R ,  C23C 14/08 A ,  C23C 14/08 C ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/08 E ,  C23C 14/14 B ,  C23C 14/14 D ,  C23C 14/34 M ,  H01B 13/00 503 B ,  H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 M
Fターム (33件)：
4K029AA02 ,  4K029AA25 ,  4K029AA29 ,  4K029BA02 ,  4K029BA03 ,  4K029BA04 ,  4K029BA08 ,  4K029BA43 ,  4K029BA44 ,  4K029BA45 ,  4K029BA47 ,  4K029BA48 ,  4K029BA49 ,  4K029BB02 ,  4K029BC07 ,  4K029BD01 ,  4K029BD09 ,  4K029CA05 ,  4K029EA03 ,  4K029EA05 ,  4K029FA09 ,  4K029JA10 ,  4K029KA01 ,  5F051CB15 ,  5F051CB27 ,  5F051CB29 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5F051FA18 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05 ,  5G323BC03
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM