特許
J-GLOBAL ID:200903090254243234
半導体装置及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
瀬谷 徹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-154820
公開番号(公開出願番号):特開2000-138316
出願日: 1999年06月02日
公開日(公表日): 2000年05月16日
要約:
【要約】【課題】 半導体チップが製造工程中又は取扱い中に破損される現象を防止し、放熱性を向上させ、封止材のブリードアウト現象を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 対応する周囲に多数の入出力パッドが形成された一面とその反対面とを有する半導体チップと、多数のソルダボールが配列され、ソルダボールにはソルダボール及びボンドフィンガーがオープンされるように多数のボンドフィンガーが連結されて配列された配線パターンが形成され、配線パターンにはソルダボール及びボンドフィンガーがオープンされるようにカバーコートがコーティングされたサブストレートと、サブストレートを半導体チップの一面に接着させる接着層と、半導体チップの入出力パッドとサブストレートのボンドフィンガーを電気的に接続する電気接続手段と、保護用封止材で封止してなる封止部と、多数のソルダボールとを備える。
請求項(抜粋):
対応する周囲に多数の入出力パッドが形成された一面とその反対面とを有する半導体チップと、多数のソルダボールが配列され、前記ソルダボールには多数のボンドフィンガーが連結されて配列された配線パターンが形成され、前記配線パターンには、ソルダボール及びボンドフィンガーがオープンされるように、カバーコートがコーティングされたサブストレートと、前記半導体チップの入出力パッドが前記サブストレート上で露出するように、サブストレートを半導体チップの一面に接着させる接着層と、前記半導体チップの入出力パッドとサブストレートのボンドフィンガーを電気的に接続する電気接続手段と、前記半導体チップの側面、半導体チップの入出力パッド、電気接続手段及びボンドフィンガーを外部環境から保護するために封止材で封止してなる封止部と、前記サブストレートのソルダボールに融着された多数のソルダボールとを含んでなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 23/12
, H01L 23/29
, H01L 23/31
FI (2件):
H01L 23/12 L
, H01L 23/30 D
Fターム (15件):
4M109AA02
, 4M109BA04
, 4M109BA05
, 4M109CA05
, 4M109CA06
, 4M109DA04
, 4M109DB08
, 4M109DB12
, 4M109DB17
, 4M109EA02
, 4M109ED01
, 4M109ED02
, 4M109ED03
, 4M109EE05
, 4M109GA05
引用特許:
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