特許
J-GLOBAL ID：200903090260886210

強誘電体キャパシタ、強誘電体不揮発性記憶装置および強誘電体装置

発明者：
クリスチャン・グットレーベン

クリスチャン・グットレーベン について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-103457
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294432
出願日： 1997年04月21日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：
【要約】【課題】 Si基板や金属膜や電極上に強誘電体膜を積層する場合や強誘電体膜上に金属膜や電極を積層する場合に、強誘電体膜とSi基板や金属膜や電極との間の反応および/または拡散を防止することができる強誘電体キャパシタ、強誘電体不揮発性記憶装置および強誘電体装置を提供する。【解決手段】 強誘電体不揮発性メモリにおいて、Si基板1上に、強誘電体膜、例えばSBT膜3および金属膜、例えばPt膜5を積層する場合に、Si基板1とSBT膜3との間およびSBT膜3とPt膜5との間に、Ca,SrおよびBaからなる群より選ばれた少なくとも一種類以上のアルカリ土類金属元素のフッ化物からなる反応および/または拡散防止膜、例えばCaF2 膜2、4をそれぞれ設ける。
請求項（抜粋）：
半導体基体と電極との間に強誘電体膜をはさんだ構造の強誘電体キャパシタにおいて、上記半導体基体と上記強誘電体膜との間および上記強誘電体膜と上記電極との間の少なくとも一方に、カルシウム、ストロンチウムおよびバリウムからなる群より選ばれた少なくとも一種類以上のアルカリ土類金属元素のフッ化物からなる反応および/または拡散防止膜が設けられていることを特徴とする強誘電体キャパシタ。
IPC (8件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (4件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
審査官引用 (6件)
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