特許

J-GLOBAL ID：200903090260890772

半導体力学量センサおよびその製造方法

発明者： 金丸 俊隆 ,  横山 賢一
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-257881
公開番号（公開出願番号）：特開2004-093494
出願日： 2002年09月03日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：

【課題】一つの半導体基板で二つの異なる方向から印加される力学量を検出することのできる半導体力学量センサを提供する。【解決手段】第1の半導体層11の上に絶縁層13を介して第2の半導体層12を積層してなる積層基板10を有し、第2の半導体層12は、溝14によって可動部15と固定部16とに区画されており、可動部15の下に位置する絶縁層13が除去されて空洞部17が形成されていることにより、可動部15は空洞部17上にて可動状態となっている半導体力学量センサS1において、可動部15は、比較的厚さが厚く積層基板10の基板面方向へ可動となっている第1の可動部15aと、比較的厚さが薄く積層基板10の基板厚さ方向へ可動となっている第2の可動部15bとからなる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1の半導体層(11)の上に絶縁層(13)を介して第2の半導体層(12)を積層してなる積層基板(10)を有し、 前記第2の半導体層(12)は、溝(14)によって可動部(15)と固定部(16)とに区画されており、 前記可動部(15)の下に位置する前記絶縁層(13)が除去されて空洞部(17)が形成されていることにより、前記可動部(15)は前記空洞部(17)上にて可動状態となっている半導体力学量センサにおいて、 前記可動部(15)は、比較的厚さが厚く前記積層基板(10)の基板面方向へ可動となっている第1の可動部(15a)と、比較的厚さが薄く前記積層基板(10)の基板厚さ方向へ可動となっている第2の可動部(15b)とからなることを特徴とする半導体力学量センサ。

IPC (2件)：

G01P15/125 ,  H01L29/84

FI (2件)：

G01P15/125 Z ,  H01L29/84 Z

Fターム (15件)：

4M112AA01 ,  4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA21 ,  4M112CA22 ,  4M112CA26 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA08 ,  4M112DA15 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112FA20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 加速度センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-106832   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立カーエンジニアリング
• 半導体基板のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-164378   出願人：株式会社村田製作所
• センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-140855   出願人：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
• 半導体加工部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-058057   出願人：株式会社村田製作所