特許
J-GLOBAL ID:200903090333813143

熱型赤外線検出素子、熱型赤外線検出素子の製造方法、赤外線撮像システムおよび赤外線撮像装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松田 正道
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-293043
公開番号(公開出願番号):特開平11-132856
出願日: 1997年10月24日
公開日(公表日): 1999年05月21日
要約:
【要約】【課題】 素子の小型化を図ることと、受光電極および補償電極を熱的なクロストークを抑制するように形成することによって、赤外線像のぼけをなくして、マイクロ化、2次元化、高解像度化を可能にする。【解決手段】 絶縁膜43が形成されたシリコン半導体基板41に設けられた空隙42上に、絶縁膜43を介して、補償電極44、赤外線受光によって分極が生じる誘電体膜45、対向電極46、誘電体膜45と同じ材質・膜厚・面積を有する誘電体膜47、受光電極48の順で積層されており、誘電体膜47は上方からの赤外線が入射できるような構成になっており、反対に誘電体膜45は上方からの赤外線が入射できないような構成となっている。この構成によって、各受光電極48へ赤外線が入射した時、対応する補償電極44からの出力によって、各受光電極48からの出力を補償するようにしている。
請求項(抜粋):
赤外線を受光することによって分極が生じる誘電体の前記分極に伴う表面電荷の変化を出力する複数の受光電極と、前記各受光電極からの出力を補償するための1つの補償電極とを備えことを特徴とする熱型赤外線検出素子。
IPC (2件):
G01J 5/02 ,  G01J 1/02
FI (3件):
G01J 5/02 B ,  G01J 1/02 C ,  G01J 1/02 Q
引用特許:
審査官引用 (11件)
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