特許

J-GLOBAL ID：200903090361308250

半導体発光素子

発明者： 堀 裕二 ,  柴田 智彦 ,  田中 光浩 ,  小田 修
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-001149
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208731
出願日： 2001年01月09日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：

【要約】【課題】白色LEDとして好適に使用することが可能な新規な半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子10を構成する下地層2を、X線ロッキングカーブにおける半値幅が90秒以下の高結晶AlN層から構成する。そして、この下地層2内に所定の希土類元素を含有させる。この希土類元素は、発光層5で生成された光によって励起され、前記希土類元素に固有の波長の光を発する。

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上に形成されたX線ロッキングカーブにおける半値幅が90秒以下の少なくともAlを含む第1の窒化物半導体からなる下地層と、この下地層上に形成された、少なくとも一種の希土類元素を添加元素として含有し、Al、Ga、及びInの少なくとも一つを含む第2の窒化物半導体からなる発光層と、この発光層上において、ショットキー電極から構成される第1の電極及びショットキー電極又はオーミック電極から構成される第2の電極とを具えることを特徴とする、半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  C23C 16/34

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  C23C 16/34

Fターム (17件)：

4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA38 ,  4K030BB01 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030JA10 ,  4K030LA18 ,  5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041AA44 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA88 ,  5F041FF11

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 3-5族化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-307283   出願人：住友化学工業株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-217875   出願人：株式会社東芝
• 半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-030652   出願人：日本電信電話株式会社
• 窒化物半導体の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-237501   出願人：日亜化学工業株式会社