半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-122998
公開番号（公開出願番号）：特開2008-282834
出願日： 2007年05月08日
公開日（公表日）： 2008年11月20日
要約：

【課題】パワー半導体モジュールを対象に、従来の工法に比べて簡単,かつ短時間で半田接合する部材の表面に間隔保持用の突起を形成し、部材相互間を均一な厚さでリフロー半田接合できるように工法を改良した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板1の銅箔回路パターン1bに半導体チップ2を重ねて半田接合したモジュールを対象に、前記銅箔回路パターン1bの接合面域内にレーザ光を照射してその表面複数箇所に半田接合層の層厚に対応する凹凸状のクレータ(レーザ加工痕)を分散形成した上で、その接合面域にクリーム半田ないし板半田を挟んで絶縁基板に半導体チップを重ね合わせ、半田リフロー工程を経て絶縁基板/半導体チップの間を接合する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

放熱用金属ベース板,絶縁基板,半導体チップ,ヒートスプレッダなどのモジュール構成部材を積み重ねてその部材相互間を半田接合した組立構造になる半導体装置の製造方法であり、上下に重ね合わせて半田接合する第1の部材と第2の部材のいずれか一方の部材に対し、その接合面域内にレーザ光を照射して部材表面の複数箇所に半田接合層の層厚に対応する突起高さの凹凸状クレータを分散形成した上で、その接合面域にクリーム半田ないし板半田を挟んで第1,第2の部材を重ね合わせ、半田リフロー工程を経て各部材の相互間を接合したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/52 , H01L 23/40 , H01L 23/12

FI (3件)：

H01L21/52 C , H01L23/40 F , H01L23/12 J

Fターム (17件)：

5F047AA03 , 5F047AA07 , 5F047AA17 , 5F047AB06 , 5F047BA01 , 5F047BB03 , 5F047BB11 , 5F047BB16 , 5F136BB01 , 5F136BB05 , 5F136BC02 , 5F136BC03 , 5F136DA27 , 5F136EA13 , 5F136EA41 , 5F136EA61 , 5F136FA03

引用特許：

出願人引用 (7件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-008640 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法並びに製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-081505 出願人：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
セラミック回路基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-244678 出願人：京セラ株式会社

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審査官引用 (6件)

セラミック回路基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-244678 出願人：京セラ株式会社
特開昭58-042244
特開昭58-042244

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