パターン転写方法、パターン転写装置及び電子デバイスの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-089420
公開番号（公開出願番号）：特開2007-266308
出願日： 2006年03月28日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：

【課題】スループットが高いパターン転写方法、パターン転写装置及び電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】パターン転写装置1において、基板上に樹脂を塗布して樹脂膜を成膜する塗布室2を設け、塗布室2に連通され基板を搬送する搬送手段が配設された搬送室3を設け、基板を樹脂のガラス転移点未満の温度まで予備加熱する予備加熱室4を設け、膜の一部を局所的に樹脂のガラス転移点以上の温度に加熱しつつ、この加熱した部分に基板よりも小さいモールドを押し付けることにより、膜にパターンを転写するプロセス室5を設ける。予備加熱室4及びプロセス室5はそれぞれ搬送室3に連通させる。プロセス室5においては、ステップ・アンド・リピート方式により、膜の複数の領域に繰り返しモールドを押し付けることにより、膜全体にパターンを転写する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成された膜を前記膜の軟化点未満の温度に予備加熱する工程と、前記膜の一部の領域を前記軟化点以上の温度に加熱すると共に、パターンが形成されたモールドを前記領域の少なくとも一部に押しつけて、前記膜の前記一部に前記パターンを転写する工程と、を備えたことを特徴とするパターン転写方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 , B82B 1/00 , B82B 3/00 , B29C 59/02

FI (5件)：

H01L21/30 502D , G03F7/20 501 , B82B1/00 , B82B3/00 , B29C59/02 Z

Fターム (18件)：

2H097AA20 , 4F209AA44 , 4F209AF01 , 4F209AG03 , 4F209AG05 , 4F209AH33 , 4F209AH73 , 4F209PA02 , 4F209PB01 , 4F209PC01 , 4F209PC05 , 4F209PH06 , 4F209PN03 , 4F209PN06 , 4F209PN09 , 4F209PQ11 , 5F046AA28 , 5F046KA02

引用特許：

出願人引用 (1件)

ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-111706 出願人：キヤノン株式会社

審査官引用 (5件)

微小構造物の成形方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-561863 出願人：ライスタープロセステクノロジーズ, ファッハホッホシューレアールガウ
特開昭61-211008
特開平2-183444

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