特許
J-GLOBAL ID：200903090490885549

半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
松村 拓明

松村 拓明 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (2件)： 磯野 道造 ,  多田 悦夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-165134
公開番号（公開出願番号）：特開2009-033133
出願日： 2008年06月24日
公開日（公表日）： 2009年02月12日
要約：
【課題】電極からの電流リークや素子の破壊を引き起こすことがなく、光取り出し効率にも優れた半導体素子およびその製造方法の提供。【解決手段】第1導電型半導体層と、第2導電型半導体層と、第1導電型半導体層と第2導電型半導体層の間に介設された発光層とを有する半導体発光部と、前記第1導電型半導体層に接続される第1導電側電極と、前記第2導電型半導体層に接続される第2導電側電極とを備える半導体発光素子であって、前記第2導電側電極と、前記半導体発光部を被覆する絶縁膜とが、離間領域を介して離間して配設されていることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体層と、第2導電型半導体層と、第1導電型半導体層と第2導電型半導体層の間に介設された発光層とを有する半導体発光部と、前記第1導電型半導体層に接続される第1導電側電極と、前記第2導電型半導体層に接続される第2導電側電極とを備える半導体発光素子であって、 前記第2導電側電極と、前記半導体発光部を被覆する絶縁膜とが、離間領域を介して離間して配設されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 E
Fターム (6件)：
5F041AA03 ,  5F041AA33 ,  5F041AA44 ,  5F041CA40 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)

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