特許
J-GLOBAL ID：200903002524147970

窒化物系半導体発光素子

発明者：
大澤 弘

大澤 弘 について

, 
程田 高史

程田 高史 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (7件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-266486
公開番号（公開出願番号）：特開2007-081088
出願日： 2005年09月14日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：
【課題】 電子線照射や高温アニール、又は酸素雰囲気下での合金化熱処理等を行わない場合であっても、密着性に優れ、且つ良好な透光性を有し、低接触抵抗を有する電流拡散性に優れた正極を備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 少なくともn型半導体層、発光層、p型半導体層、金属膜層、金属板がこの順序で積層されてなる構造において、保護層がn型半導体層側面、発光層側面、p型半導体層側面を覆うように形成され、p型半導体層に接して形成される第1の金属膜層がオーミック接触層であり、保護層に接して形成される第2の金属膜層が密着層、反射層の順で構成され、前記反射層を覆うように金属板がメッキによって形成されることにより、密着性及び側面からの光取り出し効率を両立させることが可能になる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくともn型半導体層、発光層、p型半導体層、金属膜層、金属板が、この順序で積層されてなる窒化物系半導体発光素子において、 保護層が、前記n型半導体層、発光層、及びp型半導体層の側面を覆うように形成され、 前記p型半導体層に接して形成される第1の金属膜層がオーミック接触層からなり、 前記保護層に接して形成される第2の金属膜層が、前記保護層側から密着層、反射層の順に形成されてなり、 前記金属板がメッキからなり、前記反射層を覆うように形成されていることを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (2件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C
Fターム (12件)：
5F041AA21 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F041CA83 ,  5F041CA84 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB15
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (12件)
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