特許
J-GLOBAL ID：200903090523294967

垂直共振器型面発光半導体レーザ装置、およびそれを用いた光論理演算装置、波長変換装置、光パルス波形整形装置、ならびに光伝送システム

発明者：
高橋 孝志

高橋 孝志 について

, 
佐藤 俊一

佐藤 俊一 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (2件)： 磯村 雅俊 ,  渡邉 昌幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-117869
公開番号（公開出願番号）：特開2004-342629
出願日： 2003年04月23日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：
【課題】レーザ出力光を1本の光入力のみで変調することが可能な変調機能を有する垂直共振型面発光半導体レーザ装置およびそれを用いた光論理演算装置、波長変換装置、光パルス波形整形装置、ならびに光伝送システムの提供。【解決手段】基板601上に、活性層605を含む共振器603と、共振器603の上下に形成された分布ブラッグ反射鏡602,608と、活性層605の光を吸収する光吸収層604を含む垂直共振器型面発光半導体レーザ装置の出力光強度を変調する光変調に関する。外部から入力光を入射した場合に、光吸収層604の吸収飽和により共振器損失が低下して閾電流が低下することで出力光強度が増加し、外部からの入力光を遮断した場合に、光吸収層604による共振器損失が増加して閾電流が増加することで出力光強度が低下するという作用を利用して光変調を実現している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、活性層を含む共振器と、共振器の上下に形成された分布ブラッグ反射鏡と、活性層の光を吸収する光吸収層を含む垂直共振器型面発光半導体レーザ装置であって、 外部から入力光が入射された場合に、前記光吸収層の吸収飽和により共振器損失が低下して閾電流が低下することで出力光強度が増加し、外部からの入力光が遮断された場合に、前記光吸収層による共振器損失が増加して閾電流が増加することで出力光強度が低下することにより光変調が行われることを特徴とする垂直共振器型面発光半導体レーザ装置。
IPC (6件)：
H01S5/50 ,  G02F1/017 ,  G02F2/02 ,  G02F3/00 ,  H01S5/04 ,  H01S5/183
FI (6件)：
H01S5/50 630 ,  G02F1/017 506 ,  G02F2/02 ,  G02F3/00 501 ,  H01S5/04 ,  H01S5/183
Fターム (20件)：
2H079AA08 ,  2H079AA11 ,  2H079BA01 ,  2H079CA04 ,  2H079DA16 ,  2H079EA07 ,  2H079EB06 ,  2K002AA02 ,  2K002AB12 ,  2K002BA01 ,  2K002CA13 ,  2K002DA12 ,  5F073AA51 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073AB17 ,  5F073AB24 ,  5F073CA05 ,  5F073EA12
引用特許：
審査官引用 (11件)
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