特許
J-GLOBAL ID：200903094150403880
光通信システム
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-045468
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329923
出願日： 2002年02月21日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：
【要約】【課題】 動作電圧、発振閾値電流等を低くできる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源として利用し、レーザ素子が破損しないで良好に使用できる光通信システムを提案することにある。【解決手段】 n-GaAs基板2上に、n-半導体分布ブラッグ反射鏡3を形成し、その上にλ/4の厚さのn-GaxIn1-xPyAs1-y層11を積層した。そしてその上にアンドープ下部GaAsスペーサ層4と、3層のGaxIn1-xAs量子井戸層である活性層(量子井戸活性層)12とGaAsバリア層(20nm)13からなる多重量子井戸活性層と、アンドープ上部GaAsスペーサ層4とが積層されて、媒質内における発振波長λの1波長分の厚さ(λの厚さ)の共振器を形成している。
請求項（抜粋）：
レーザチップと、該レーザチップと接続される光通信システムにおいて、前記レーザチップは発振波長が1.1μm〜1.7μmであり、光を発生する活性層を、主たる元素がGa、In、N、Asからなる層、もしくはGa、In、Asよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が1.1μm以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As(0<x≦1)とし、前記屈折率が大の材料層はAl<SB>y</SB>Ga<SB></SB><SB>1-y</SB>As(0≦y<x≦1)とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるAl<SB>z</SB>Ga<SB>1-z</SB>As(0≦y<z<x≦1)よりなるヘテロスパイク緩衝層を20nm〜50nmの厚さに設けた反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源としたものであり、前記面発光型半導体レーザ素子チップの光射出部の面積をS(mm<SP>2</SP>)、レーザ素子動作電圧をV(V)とするとき、V/Sを15000〜30000の範囲にしたことを特徴とする光通信システム。
IPC (3件)：
H01S 5/06
, H01S 5/183
, H01S 5/323 610
H01S 5/06
, H01S 5/183
, H01S 5/323 610
5F073AA03
, 5F073AA55
, 5F073AA74
, 5F073AB20
, 5F073BA01
, 5F073CA17
, 5F073CB02
, 5F073CB19
, 5F073DA14
, 5F073EA02
, 5F073EA28
審査官引用 (13件)
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特開平3-239386
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半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-049834
出願人：株式会社リコー
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面発光レーザ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-293123
出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
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