炭化珪素半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-267528
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094095
出願日： 1999年09月21日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】ガードリングのリング数を少なくしても高耐圧が得られるガードリング構造を提供する。【解決手段】複数のp+型ウェル領域21のうち最外周に位置する最外周p+型ウェル領域21aが、複数のp+型ウェル領域21のうち該最外周p+型ウェル領域21aよりもセル領域側に位置するものよりも接合深さが深く形成されている領域を有しているようにする。このように、最外周p+型ウェル領域21aに接合深さが深く形成された領域を設けることにより、電界集中が緩和され、リング数が少なくても高耐圧が得られる。従って、所望の耐圧を得るためのリング数が減少でき、各ウェル領域間の間隔を広く取ることができるため、p+型ウェル領域形成用のマスクを安定して形成することができ、ウェル領域同士が接触してしまう等の不具合を防止することができる。

請求項（抜粋）：

炭化珪素よりなる第1導電型の低抵抗な半導体基板(1)と、前記半導体基板の上に形成され該半導体基板よりも高抵抗な第1の半導体層(2)と、前記第1の半導体層の表層部に形成された第2導電型のベース領域(3)を含むと共に該ベース領域の上に設けられたゲート電極層(8)に電圧を印加することによって電流のスイッチング動作を行うFETをユニットセルとし、該ユニットセルを複数個有してなるセル領域と、前記セル領域の外周部において該セル領域から所定間隔離間して該セル領域を囲むように形成された複数の第2導電型のウェル領域(21)と、前記ゲート電極層と電気的に接続されたゲート電極(24)と、前記ベース領域と電気的に接続されたソース電極(10)と、前記半導体基板の裏面側と電気的に接続されたドレイン電極(11)とを備え、前記複数のウェル領域のうち最外周に位置する最外周ウェル領域(21a)は、前記複数のウェル領域のうち該最外周ウェル領域よりも前記セル領域側に位置するものよりも接合深さが深く形成されている領域を有していることを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 29/16 , H01L 29/872 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 29/78 652 P , H01L 29/16 , H01L 29/48 G , H01L 29/48 D , H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 658 A

Fターム (6件)：

4M104AA03 , 4M104CC03 , 4M104FF34 , 4M104GG03 , 4M104GG14 , 4M104GG18

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-060190 出願人：株式会社デンソー
電力装置のための構成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-266997 出願人：コンソルツィオ・ペール・ラ・リケルカ・スラ・ミクロエレットローニカ・ネル・メッツォジオルノ
炭化けい素ショットキーダイオードの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-061050 出願人：富士電機株式会社

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