電界放射型電子源およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西川惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-344300
公開番号（公開出願番号）：特開2002-150926
出願日： 2000年11月10日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】大面積化が可能で、単位面積当たりの電子放出量が多く且つ表面電極の断線や表面電極と下部電極との間の短絡を防止することが可能な電界放射型電子源の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁性基板11上に下部電極8および絶縁部18を形成した後、多結晶シリコン層3を堆積し、陽極酸化処理にて下部電極8上の部位を多孔質化して多孔質多結晶シリコン層を形成し、多孔質多結晶シリコン層を酸化することで強電界ドリフト層6のドリフト部6aを形成する。下部電極8は、絶縁性基板11上に形成したアルミニウム薄膜よりなる導電性層38上に下部電極8のパターンに対応したレジスト層20をマスクとして導電性層38の一部を陽極酸化処理にて酸化して酸化アルミニウムよりなる絶縁部18を形成することで導電性層38のうちレジスト層20に覆われた部分よりなる下部電極8を形成する。

請求項（抜粋）：

基板と、基板の一表面上に列設された複数の下部電極と、各下部電極の表面側に各下部電極にそれぞれ重なる形で形成された複数の酸化若しくは窒化した多孔質半導体層よりなるドリフト部およびドリフト部の間を埋める分離部を有する強電界ドリフト層と、強電界ドリフト層上において下部電極に交差する方向に列設された複数の表面電極とを備え、表面電極を下部電極に対して正極として電圧を印加することにより下部電極から注入された電子が強電界ドリフト層をドリフトし表面電極を通して放出される電界放射型電子源であって、下部電極の間を埋め基板と分離部との間に介在する絶縁部が設けられてなることを特徴とする電界放射型電子源。

IPC (4件)：

H01J 1/312 , H01J 9/02 , H01J 29/04 , H01J 31/12

FI (4件)：

H01J 9/02 M , H01J 29/04 , H01J 31/12 C , H01J 1/30 M

Fターム (6件)：

5C031DD17 , 5C036EF01 , 5C036EF06 , 5C036EF08 , 5C036EG02 , 5C036EG12

引用特許：

審査官引用 (6件)

電界放射型電子源およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-239066 出願人：松下電工株式会社
特開昭54-114076
特開昭54-114076

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