窒化珪素膜、並びに半導体装置及びその作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-139390
公開番号（公開出願番号）：特開2004-056099
出願日： 2003年05月16日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】ゲート絶縁膜や保護膜として好適に適用可能な緻密で高品質の絶縁膜を、ガラス基板に歪み点以下の温度で形成する技術、並びにそれを用いて高性能で高信頼性を実現する半導体装置を適用することを目的とする。【解決手段】本発明の半導体装置は、水素を1×1021/cm3以下の濃度で含み、酸素を5×1018〜5×1021/cm3の濃度で含み、また、フッ化水素アンモニウム(NH4HF2)を7.13%とフッ化アンモニウム(NH4F)を15.4%含む混合水溶液に対するエッチング速度が10nm/min以下の特性を有する窒化珪素膜が、チャネル長0.35〜2.5μmの電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜において、結晶性半導体膜上に酸化珪素膜を介して形成する。【選択図】図13

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に、水素を1×1021/cm3以下の濃度で含み、フッ化水素アンモニウム(NH4HF2)を7.13%とフッ化アンモニウム(NH4F)を15.4%含む混合水溶液に対するエッチング速度が10nm/min以下の特性を有する窒化珪素膜を、少なくとも一層含むゲート絶縁膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L29/786 , H01L21/318 , H01L21/336

FI (5件)：

H01L29/78 617T , H01L21/318 B , H01L29/78 617V , H01L29/78 617U , H01L29/78 619A

Fターム (78件)：

5F058BA08 , 5F058BB04 , 5F058BB06 , 5F058BB07 , 5F058BC08 , 5F058BF12 , 5F058BF15 , 5F058BF21 , 5F058BG01 , 5F058BG02 , 5F058BG03 , 5F058BG04 , 5F058BJ01 , 5F058BJ02 , 5F058BJ04 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA14 , 5F110AA17 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD07 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE23 , 5F110EE32 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF05 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110FF22 , 5F110FF23 , 5F110FF28 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL11 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN26 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN73 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ04 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19 , 5F110QQ23 , 5F110QQ28

引用特許：

出願人引用 (8件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-125785 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平4-080928
特開平3-016129

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審査官引用 (8件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-125785 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平4-080928
特開平3-016129

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