過電流検出回路及び過電流検出・保護回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：瀧野秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-373967
公開番号（公開出願番号）：特開2000-193692
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】センス抵抗を使用することなく過電流検出を行うことができるようにして、センス抵抗を使用したものの不具合を解消した過電流検出回路及び過電流検出・保護回路を提供する。【解決手段】負荷L及びパワーMOSFETQAの直列回路と並列に接続された基準回路が、負荷及びパワーMOSFETに等価な基準抵抗Rr及び基準MOSFETQBの直列回路により構成し、基準電流の流れる基準MOSFETのドレイン-ソース間電圧と、過電流によって電流の大きさが変化するパワーMOSFETのドレイン-ソース間電圧との差に基づいて、パワーMOSFETに流れる過電流を検出している。基準MOSFETの数をパワーMOSFETより少ない数にし、基準抵抗の抵抗値を、負荷の抵抗値×(パワーMOSFETの数/基準MOSFETの数)となるように定めた。

請求項（抜粋）：

負荷と直列に接続され電源に対する前記負荷の接続をオン、オフするパワーMOSFETと、前記負荷及び前記パワーMOSFETの直列回路と並列に接続された基準回路とを備え、前記基準回路を前記直列回路の前記負荷及び前記パワーMOSFETに等価な基準抵抗及び基準MOSFETの直列回路により構成し、前記パワーMOSFETのドレイン-ソース間電圧と前記基準MOSFETのドレイン-ソース間電圧との差に基づいて、前記パワーMOSFETに流れる過電流を検出することを特徴とする過電流検出回路。

IPC (2件)：

G01R 19/165 , H03K 17/08

FI (2件)：

G01R 19/165 L , H03K 17/08 C

Fターム (44件)：

2G035AA03 , 2G035AA06 , 2G035AA16 , 2G035AA26 , 2G035AB02 , 2G035AC02 , 2G035AC13 , 2G035AC16 , 2G035AD02 , 2G035AD03 , 2G035AD04 , 2G035AD08 , 2G035AD10 , 2G035AD13 , 2G035AD17 , 2G035AD23 , 2G035AD54 , 5J055AX31 , 5J055AX44 , 5J055BX16 , 5J055CX28 , 5J055DX13 , 5J055DX22 , 5J055DX53 , 5J055DX54 , 5J055EX04 , 5J055EX06 , 5J055EY01 , 5J055EY02 , 5J055EY10 , 5J055EY12 , 5J055EY13 , 5J055EY17 , 5J055EY21 , 5J055EZ04 , 5J055EZ10 , 5J055EZ31 , 5J055EZ55 , 5J055FX05 , 5J055FX06 , 5J055FX32 , 5J055FX33 , 5J055FX38 , 5J055GX01

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平3-262209
過電流検出回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-179465 出願人：株式会社アドバンテスト
特開平4-191669

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