特許
J-GLOBAL ID：200903090679228670

配線形成法

発明者：
大村 昌良

大村 昌良 について


出願人/特許権者：
ヤマハ株式会社

ヤマハ株式会社 について


代理人 (1件)： 伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-102732
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284601
出願日： 1997年04月04日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【課題】 W(タングステン)等の導電材層で接続孔を埋める配線形成法において、配線の信頼性を向上させる。【解決手段】 半導体基板10の表面を覆う層間絶縁膜14に所望の接続孔14Sを形成した後、膜14及び接続孔14Sを覆ってTiN/Ti等の密着層20及びW等の導電材層を順次に形成する。異方性エッチングにより導電材層を密着層20が露呈するまで薄くして接続孔14S内に導電材層の一部をプラグ22Sとして残した後、テーパーエッチングによりプラグ22Sのシーム孔V1 を底部から開口端に向けて徐々にサイズが増大するように加工する。プラグ22Sを覆ってAl合金等の配線材層24を形成した後、層24をパターニングして配線層を形成する。
請求項（抜粋）：
一方の主面に被接続部を有する基板を用意する工程と、前記基板の一方の主面に前記被接続部を覆って絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に前記被接続部に達する接続孔を形成する工程と、前記接続孔を埋め且つ前記絶縁膜を覆うように導電材層を形成する工程と、異方性エッチングにより前記導電材層を薄くして前記接続孔内に前記被接続部につながるように前記導電材層の一部をプラグとして残す工程と、テーパーエッチングにより前記プラグのシーム孔を内部から開口端に向けて徐々にサイズが増大するように加工する工程と、前記プラグのシーム孔を加工した後前記絶縁膜及び前記プラグを覆って配線材層を形成する工程と、前記配線材層をパターニングして前記プラグにつながる配線層を形成する工程とを含む配線形成法。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28
FI (2件)：
H01L 21/90 D ,  H01L 21/28 L
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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