特許
J-GLOBAL ID:200903043670367963

エッチング剤及びこのエッチング剤を用いた電子機器用基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岡部 正夫 (外10名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-336639
公開番号(公開出願番号):特開2002-241968
出願日: 2001年11月01日
公開日(公表日): 2002年08月28日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、電子機器用素子材料の銅又は銅/チタンなどの銅積層膜のエッチング剤に経時変化防止用添加剤を添加してエッチング率の不安定性を解決したエッチング剤及びこれを用いた電子機器用基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、基板上に銅を含む金属薄膜を形成する工程と、その金属薄膜を選択的に露光する工程と、露光された部位又は露光されない部位を経時変化防止用添加剤が添加されたエッチング剤でエッチングして所望のパターンを形成する工程とからなることを特徴とする。
請求項(抜粋):
銅のエッチング率の経時変化を抑制するために経時変化防止用添加剤が添加されていることを特徴とするエッチング剤。
IPC (11件):
C23F 1/18 ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (13件):
C23F 1/18 ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/28 E ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/308 F ,  H01L 21/306 F ,  H01L 29/78 612 D ,  H01L 29/78 617 J ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 21/88 C ,  H01L 21/88 M ,  H01L 29/78 627 C
Fターム (60件):
2H088FA18 ,  2H088HA01 ,  2H088HA02 ,  2H088MA20 ,  2H092HA06 ,  2H092JA26 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB22 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092MA02 ,  2H092MA18 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  4K057WA20 ,  4K057WB04 ,  4K057WE12 ,  4K057WE13 ,  4K057WE14 ,  4K057WF01 ,  4K057WN01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104DD34 ,  4M104DD64 ,  4M104GG20 ,  4M104HH14 ,  5F033HH11 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033MM05 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ20 ,  5F033VV15 ,  5F033WW04 ,  5F033XX03 ,  5F043AA26 ,  5F043BB18 ,  5F043GG02 ,  5F043GG10 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110FF27 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32 ,  5F110NN02 ,  5F110QQ05
引用特許:
審査官引用 (8件)
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引用文献:
審査官引用 (1件)
  • 岩波 理化学辞典, 19980220, 第5版, P1009,998

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