特許
J-GLOBAL ID：200903090971557235
半導体基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-200878
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186119
出願日： 1998年07月15日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 ウェーハの反りを防止し得るウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 半導体ウェーハ100の下面に存在する物質膜30を取り除いたり、ウェーハ100のスクライブライン300に凹所500を形成することによって、半導体ウェーハの反りを低減する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハが下に凸に反ることを防止するためのウェーハ製造方法において、前記ウェーハの上面と下面に第1物質膜を形成する段階と、前記ウェーハの上面の第1物質膜上にのみ第2物質膜を形成する段階と、前記ウェーハの下面に形成された第1物質膜を取り除く段階と、前記ウェーハの上面の第1物質膜上に形成された第2物質膜を取り除く段階とを含むことを特徴とするウェーハの製造方法。
引用特許：
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