特許
J-GLOBAL ID：200903090986703335
チップ抵抗器の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
武 顕次郎
, 鈴木 市郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-080492
公開番号（公開出願番号）：特開2004-288968
出願日： 2003年03月24日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：
【課題】生産性が良好で高信頼性も確保しやすいチップ抵抗器の製造方法を提供すること。【解決手段】セラミック基板1の上面に一次分割溝2に沿って延びる帯状電極3を形成した後、二次分割溝形成工程としてレーザスクライブを2回行う。すなわち、まず1回目のレーザ光照射で一次分割溝2に対して直交する複数本の幅狭分割溝4aを形成し、次いで各幅狭分割溝4aをなぞるように2回目のレーザ光照射を行って幅狭分割溝4aをやや幅広な二次分割溝4に仕上げる。その際、2回目のレーザ光照射によって幅狭分割溝4aの開口端側に面取り部4bを形成しておけぱ好ましい。かかる二次分割溝形成工程によって各帯状電極3は複数の上面電極13に分割される。また、上面電極13どうしを橋絡する位置に形成される抵抗体12は、トリミング溝5によって抵抗値が調整される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
多数個分のチップ抵抗器に対応する大判のセラミック基板の表面に所定の間隔を存して直線状に延びる複数の一次分割溝を形成する一次分割溝形成工程と、
前記セラミック基板の表面に幅方向中央を通過して長手方向に延びる二等分線が前記一次分割溝と略合致するように複数の帯状電極を形成する帯状電極形成工程と、
前記各帯状電極を複数の上面電極に分割するように、前記セラミック基板の表面に前記一次分割溝と直交するように所定の間隔を存して直線状に延びる複数の二次分割溝を形成する二次分割溝形成工程と、
前記一次分割溝と直交する方向に沿って隣り合う前記上面電極どうしを橋絡するように複数の抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、
前記各抵抗体の抵抗値を調整する抵抗体トリミング工程と、
前記抵抗体トリミング工程の後に前記セラミック基板を前記一次分割溝および前記二次分割溝に沿って順次ブレイクするブレイク工程とを備え、
前記二次分割溝形成工程において、1回目のレーザ光照射で刻設した分割溝に2回目のレーザ光照射を施して前記二次分割溝を形成することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01C17/00 V
, H01C17/24 L
5E032BA03
, 5E032BA11
, 5E032BB01
, 5E032CA01
, 5E032CC03
, 5E032CC06
, 5E032CC09
, 5E032TB02
