特許

J-GLOBAL ID：200903091030854129

半導体連続層のための担体層および半導体チップスの製造法

発明者： シュテファン グレッチュ ,  シュテファン イレック ,  アンドレアス プレスル ,  ベルトルト ハーン
出願人/特許権者： オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (5件)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-340701
公開番号（公開出願番号）：特開2005-167239
出願日： 2004年11月25日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】膨脹係数の熱的性質に関連して半導体連続層への適合が改善された、半導体連続層のための担体層を記載する。【解決手段】担体層1が電気的絶縁層2を含む、半導体連続層7のための担体層1の場合に、絶縁層2がAlNまたはセラミックを含有する。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

担体層(1)が電気的絶縁層(2)を含む、半導体連続層(7)のための担体層(1)において、絶縁層(2)がAlNを含有することを特徴とする、半導体連続層(7)のための担体層(1)。

IPC (1件)：

H01L23/13

FI (1件)：

H01L23/12 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-070884   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-168543   出願人：日本電気株式会社
• 垂直共振器型面発光レーザとその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-049976   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 電子線励起レーザ、電子線励起レーザの製造方法および電子線励起レーザの駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-027082   出願人：松下電器産業株式会社