特許

J-GLOBAL ID：200903091055974412

発光素子

発明者： 林 伸彦 ,  狩野 隆司
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-369703
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196200
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】 クラッド層にクラックが発生するのを抑え、しかも活性層への光閉じ込め、或いは/及びキャリア閉じ込めを良くして、しきい値電流を小さくした発光素子を提供する。【解決手段】 窒化物系よりなるn-クラッド層6とpー-クラッド層8との間に活性層7を有する発光素子において、前記n-クラッド層6及びp-クラッド層がBを含有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

窒化物系の半導体材料よりなるn型クラッド層とp型クラッド層との間に活性層を有する発光素子において、前記n型クラッド層及びp型クラッド層の少なくとも一方のクラッド層がBを含有することを特徴とする発光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 677 ,  H01L 33/00 C

Fターム (21件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA14 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CB04 ,  5F041FF16 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073BA06 ,  5F073BA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073EA23

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-089510   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-288371
  
• 特開平2-275682
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-214801   出願人：川西英雄
• 特開平2-148785
  
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-280343   出願人：松下電器産業株式会社
• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-031174   出願人：三菱マテリアル株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Jpn. J. Appl. Phys. Part2, 1997, Vol.36 No.11B, L1483-L1485