窒化ケイ素膜の選択的腐食組成物および方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：ウオーレン・ジー・シミオール
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-240647
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133631
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】易溶性ケイ素含有組成物を含む水性リン酸腐食浴組成物を提供することである。【構成】本質的に、(a)リン酸と、(b)水性腐食組成物に容易に溶けるケイ素含有組成物から成る水性腐食組成物。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスを、本質的に(a)リン酸と、(b)加熱、水性腐食溶液に容易に溶けるケイ素含有組成物から成る加熱、水性腐食溶液中で腐食する工程からなり、二酸化ケイ素と比較して窒化ケイ素の腐食速度選択性が増大されることを特徴とする半導体デバイスの腐食法。

引用特許：

審査官引用 (6件)

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