特許

J-GLOBAL ID：200903091099261073

キャパシタ及びその製造方法、並びに半導体装置

発明者： 宮澤 弘 ,  岩下 節也 ,  野口 元久 ,  樋口 天光 ,  柄沢 潤一
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-428491
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191154
出願日： 2003年12月25日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：

【課題】 高誘電率の誘電体膜を有することでこれを備える装置の小型化を可能にしたキャパシタ及びその製造方法と、このようなキャパシタを備えた半導体装置とを提供する。【解決手段】 本発明のキャパシタは、誘電体膜3を第1電極2と第2電極4との間に挟んだ構造を有しており、前記誘電体膜3が、BiFeO3からなる第1金属酸化物と、SrTiO3、CaTiO3、La2O3、Y2O3から選ばれる1種以上の第2金属酸化物とを含む構成とされている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

誘電体膜を第1電極と第2電極との間に挟んだ構造を有するキャパシタであって、 前記誘電体膜が、BiFeO3からなる第1金属酸化物と、SrTiO3、CaTiO3、La2O3、Y2O3から選ばれる1種以上の第2金属酸化物とを含むことを特徴とするキャパシタ。

IPC (5件)：

H01L21/822 ,  C23C14/08 ,  H01L21/316 ,  H01L27/04 ,  H01L27/105

FI (5件)：

H01L27/04 C ,  C23C14/08 N ,  H01L21/316 B ,  H01L27/10 444B ,  H01L27/10 444C

Fターム (43件)：

4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029BC00 ,  4K029BC03 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029CA08 ,  4K029CA09 ,  4K029DB20 ,  4K029DC16 ,  5F038AC02 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC16 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF17 ,  5F058BF20 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR01 ,  5F083FR02 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA17 ,  5F083NA08 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 集積回路用キャパシタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-016029   出願人：富士通株式会社
• 薄膜キャパシタおよびこれを用いた半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-011429   出願人：株式会社東芝
• 半導体集積回路のキヤパシタおよびこれを用いた不揮発性メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-270019   出願人：ローム株式会社
• 薄膜キヤパシタとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-223683   出願人：日本電気株式会社