特許
J-GLOBAL ID：200903091130190244
半導体装置及びその製造方法及び製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-242459
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087391
出願日： 1997年09月08日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置及びその製造方法及び製造装置に関し、半導体素子を配線基板にフェイスダウンにてマウントすることができ、且つ接続部の信頼性向上及び半導体素子の交換の容易化を図り得るようにすることを目的とする。【解決手段】 電極14を有する半導体素子12と、コア18と該コアのまわりを覆う金属の表面層20とからなるメタルバンプ16とからなり、該メタルバンプが半導体素子の電極に取り付けられている構成とする。
請求項（抜粋）：
電極を有する半導体素子と、コアと該コアのまわりを覆う金属の表面層とからなるメタルバンプとからなり、該メタルバンプが半導体素子の電極に取り付けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60
, H01L 21/60 311
H01L 21/92 602 E
, H01L 21/60 311 S
, H01L 21/92 604 H
