特許
J-GLOBAL ID：200903091157640195

NANDフラッシュメモリ素子の消去方法

発明者：
李 根雨

李 根雨 について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (2件)： 長谷 照一 ,  神谷 牧
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-367444
公開番号（公開出願番号）：特開2005-243211
出願日： 2004年12月20日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：
【課題】Xデコーダとして用いられる高電圧トランジスタのウェルに負の電圧を印加して高電圧トランジスタの漏れ電流を防止し、イレイザディスターバンスフェールを改善することが可能なNANDフラッシュメモリ素子の消去方法を提供する。【解決手段】多数のセルストリングを含む多数のセルブロックと、前記セルブロック内のワードラインに所定の電圧を印加するために多数の高電圧トランジスタから構成された多数のXデコーダとを含むNANDフラッシュメモリ素子において、前記セルブロックの中のいずれか一つのブロックを消去するための消去動作の際に多数の前記Xデコーダ内の前記高電圧トランジスタのウェルに漏れ防止電圧を印加する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
多数のセルストリングを含む多数のセルブロックと、前記セルブロック内のワードラインに所定の電圧を印加するために多数の高電圧トランジスタから構成された多数のXデコーダとを含むNANDフラッシュメモリ素子において、 前記セルブロックの中のいずれか一つのブロックを消去するための消去動作の際に、多数の前記Xデコーダ内の前記高電圧トランジスタのウェルに漏れ防止電圧を印加することを特徴とするNANDフラッシュメモリ素子の消去方法。
IPC (7件)：
G11C16/06 ,  G11C16/02 ,  G11C16/04 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792
FI (5件)：
G11C17/00 633E ,  G11C17/00 612Z ,  G11C17/00 622E ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371
Fターム (21件)：
5B125BA01 ,  5B125CA19 ,  5B125DC03 ,  5B125DC20 ,  5B125EA05 ,  5B125FA05 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP76 ,  5F083ER22 ,  5F083ER29 ,  5F083GA16 ,  5F101BA01 ,  5F101BB05 ,  5F101BD10 ,  5F101BD22 ,  5F101BD34 ,  5F101BD36 ,  5F101BE07
引用特許：
審査官引用 (5件)
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