特許
J-GLOBAL ID：200903091162122836

電界効果トランジスタ

発明者：
副島 成雅

副島 成雅 について

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上杉 勉

上杉 勉 について

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加地 徹

加地 徹 について

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杉本 雅裕

杉本 雅裕 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について

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トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-070581
公開番号（公開出願番号）：特開2007-250727
出願日： 2006年03月15日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：
【課題】III族窒化物系化合物半導体から成るHEMTのリーク電流の抑制。【解決手段】HEMT100は、C面を主面とするサファイア基板10の上に形成されており、低温成長AlNから成るバッファ層1、p-GaN層2、n-GaN層3が積層されている。n-GaN層3の中央部には、Al0.25Ga0.75N層4がチャネル長20μm幅で形成されている。Al0.25Ga0.75N層4の左側には、ソース領域であn+-GaN層5Sが、右側にはドレイン領域であるn+-GaN層6Dが形成されている。Al0.25Ga0.75N層4の上には、チャネル長よりも長い幅でSiO2から成るゲート絶縁膜7が形成されている。HEMT100のリーク電流は、ゲートの紙面前後方向の長さに対し、9.6pA/mmと極めて微弱であった。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
異種基板上にバッファ層を介して形成されたIII族窒化物系化合物半導体を用いた電界効果トランジスタにおいて、 チャネルが形成されるn型又はi型のIII族窒化物系化合物半導体層と前記バッファ層との間に、p型のIII族窒化物系化合物半導体層を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338
FI (3件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/80 H ,  H01L29/78 618E
Fターム (30件)：
5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC15 ,  5F110AA06 ,  5F110DD04 ,  5F110EE03 ,  5F110FF02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK22 ,  5F110HM02
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-373612   出願人：松下電器産業株式会社
審査官引用 (3件)

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