熱処理装置、熱処理方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：足立勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-263822
公開番号（公開出願番号）：特開2003-077855
出願日： 2001年08月31日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】大面積処理が可能で制御が容易な量産性に優れた熱処理装置等を提供する。【解決手段】RFコイル10への通電により、ホットウォール12を加熱して1500°C〜2300°Cの範囲の所望の温度(熱処理の目的に応じた温度、例えば2000°C)のホットウォール12に挟まれた高温領域5を生成した後に、SiCウェハ3を取り付けた治具14を下降させて高温領域5内にSiCウェハ3が留まるように停止させることで、SiCウェハ3の不純物活性化熱処理を行う。目的とする温度に達した後、10秒程度経過したら治具14を引き上げて高温領域5から出して冷却する。ホットウォール12からの輻射熱によりSiCウェハ3は急速に熱処理温度に達するため、短時間で熱処理が完了し、マイグレーションによる表面荒れ等の発生を抑えることができ、大面積処理が容易に可能となり量産性にも優れる。

請求項（抜粋）：

半導体基板を搬送する搬送手段と、予め1500°C〜2300°Cに加熱された領域またはステージを生成する高温領域生成手段とを備え、前記高温領域生成手段によって生成された前記領域内または前記ステージ上に、前記搬送手段によって前記半導体基板を搬送することにより前記半導体基板の熱処理を行うことを特徴とする熱処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/265 602 , H01L 21/265 , H01L 21/324 , H01L 21/68

FI (4件)：

H01L 21/265 602 A , H01L 21/324 J , H01L 21/68 A , H01L 21/265 Z

Fターム (12件)：

5F031CA02 , 5F031FA01 , 5F031FA09 , 5F031GA30 , 5F031HA02 , 5F031HA62 , 5F031HA64 , 5F031HA66 , 5F031MA30 , 5F031PA04 , 5F031PA09 , 5F031PA18

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-337628
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-163768 出願人：株式会社エフティーエル
ウェハ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-231469 出願人：株式会社ブリヂストン

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